ADL5374ACPZ-R7 datasheet
![](/img-new/pdf.png)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаADL5374ACPZ-R7
-
ПроизводительRochester Electronics
-
ОписаниеRochester Electronics ADL5374ACPZ-R7 Mfr Package Description: 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT, MO-220VGGD-2, LFCSP-24 Lead Free: Yes Construction: COMPONENT Terminal Finish: MATTE TIN Characteristic Impedance: 50 ohm Operating Temperature-Max: 85 Cel Operating Temperature-Min: -40 Cel Modulation Technique: QUADRAPHASE Operating Frequency-Max: 4000 MHz Operating Frequency-Min: 3000 MHz RF/Microwave Device Type: MODULATOR
-
Количество страниц21 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p> <p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>](/images/cache/3f276aece3691d73d42db4511afc78a8.png)
25.05.2024
![<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p> <p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>](/images/cache/aff80dadbc8cbebf7520f08d33c52745.png)
24.05.2024
![<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p> <p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>](/images/cache/1f8030008b2af69308b1c6826ad6ec45.jpg)
22.05.2024